Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    28 left arrow 29
    Wokół strony -4% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.4 left arrow 10.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    14.5 left arrow 7.1
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    23400 left arrow 8500
    Wokół strony 2.75 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR3 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    29 left arrow 28
  • Prędkość odczytu, GB/s
    10.5 left arrow 17.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    7.1 left arrow 14.5
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    8500 left arrow 23400
Other
  • Opis
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Taktowanie / szybkość zegara
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    1425 left arrow 3419
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania