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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Pontuação geral
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Razões a considerar
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
29
Por volta de -4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
7.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
8500
Por volta de 2.75 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
29
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.5
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.1
14.5
Largura de banda de memória, mbps
8500
23400
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1425
3419
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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