RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.9
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2768
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link