RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
44
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
8500
Wokół strony 2.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
44
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
21300
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
1660
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link