RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.5
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.1
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
8500
Около 2.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
44
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
8.5
Скорость записи, Гб/сек
7.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
21300
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
1660
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link