RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony 12% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
10.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
8500
Wokół strony 3.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
33
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
25600
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2987
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link