RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
64
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
56
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2761
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link