RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
49
Wokół strony -26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.4
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
39
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2070
2680
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link