RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
43
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
32
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2422
2902
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link