RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
81
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14
13.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
81
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
1634
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link