RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3465
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link