RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Porównaj
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.3
2,381.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
5,082.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,381.6
9.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
925
2298
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link