RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
40
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
24
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2703
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link