RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
40
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.6
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.3
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2035
2703
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link