RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
40
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3169
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link