RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
60
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
7.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.9
2.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
60
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
7.8
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
2.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
1505
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link