RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
40
Wokół strony -29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
31
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3130
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link