RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Porównaj
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2208
2999
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link