RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Comparez
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Note globale
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
51
Autour de -59% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2208
2999
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link