RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
40
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
3563
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link