RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
40
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
29
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2909
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905474-052.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link