RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
40
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
36
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2474
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link