RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
40
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
8.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2186
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link