RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
38
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.9
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
10600
Wokół strony 1.21% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
28
38
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
12.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
10600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1827
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link