RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
28
Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
22
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3066
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link