RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3615
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link