RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2787
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link