RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
74
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
74
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1679
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-4GRBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link