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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
74
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.9
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
74
读取速度,GB/s
12.9
13.9
写入速度,GB/s
9.0
7.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
1679
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
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