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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
22.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
17.1
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
22.2
写入速度,GB/s
1,950.7
17.1
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3871
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Super Talent STT-WB160CL0901 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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