RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3825
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link