RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
32
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2945
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link