RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2795
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link