RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Porównaj
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Wynik ogólny
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
14.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3692
1718
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link