RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Compara
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
34
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
En 1.2% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
34
Velocidad de lectura, GB/s
17.4
12.7
Velocidad de escritura, GB/s
14.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
21300
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3692
1718
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link