RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Сравнить
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
-->
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
14.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3692
1718
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link