RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Сравнить
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
-->
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
14.5
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3692
1718
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link