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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Pontuação geral
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
34
Por volta de 21% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
12.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Por volta de 1.2% maior largura de banda
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
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Especificações
Lista completa de especificações técnicas
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
34
Velocidade de leitura, GB/s
17.4
12.7
Velocidade de escrita, GB/s
14.5
8.9
Largura de banda de memória, mbps
25600
21300
Other
Descrição
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
3692
1718
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
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