RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
34
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
34
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3634
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link