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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.9
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.9
17.9
写入速度,GB/s
9.0
15.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3634
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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