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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
比较
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
总分
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.6
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
33
左右 -18% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
33
28
读取速度,GB/s
17.6
13.6
写入速度,GB/s
12.0
9.2
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2910
2625
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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