RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Compara
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
33
En -18% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
33
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.6
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2910
2625
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link