RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
9.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2625
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link