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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
66
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
66
读取速度,GB/s
12.3
16.1
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
1810
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
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