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Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
比较
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
总分
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
63
左右 -117% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
8.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
63
29
读取速度,GB/s
8.1
17.5
写入速度,GB/s
7.5
15.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1945
3806
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
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