RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
42
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2476
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link