RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Porównaj
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
29
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
18
29
Prędkość odczytu, GB/s
20.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
16.4
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
17000
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3530
3324
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link