RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3635
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link