RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.4
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
3810
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link