RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
61
Wokół strony 62% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
23
61
Prędkość odczytu, GB/s
13.4
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2269
2028
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link