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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Compara
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Puntuación global
AMD R748G2606U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
61
En 62% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2606U2S 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
61
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2269
2028
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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